納米氧化鋅是一種n型半導體,其帶隙為3.3-3.6eV,室溫下激子束縛能為60meV,在常溫下納米氧化鋅具有良好的發光功能,同時納米氧化鋅也具有光電導性和光催化活性,在納米器件諸如發光二極管、光電二極管、波導器件、氣體傳感器和光電池等方面有良好的應用前景。
納米氧化鋅是一種n型半導體,其帶隙為3.3-3.6eV,室溫下激子束縛能為60meV,在常溫下納米氧化鋅具有良好的發光功能,同時納米氧化鋅也具有光電導性和光催化活性,在納米器件諸如發光二極管、光電二極管、波導器件、氣體傳感器和光電池等方面有良好的應用前景。
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